[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201710626481.0 | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN107393996B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 杨黎飞;张闻斌;李杏兵 | 申请(专利权)人: | 协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 王乐 |
地址: | 201406 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种异质结太阳能电池,其包括晶体硅片、第一本征层、第一掺杂非晶硅层、第一电极及第二电极;在晶体硅片靠近第一本征层的表面向内形成有重掺杂带;重掺杂带与晶体硅片的外缘线的间距为0.1~0.5mm;重掺杂带与晶体硅片反型。该电池由于在边缘形成重掺杂带;从而在边缘形成局部少数载流子加强收集区域,避免了边缘区域钝化效果差的问题,抑制了边缘少数载流子复合,进而提高电池的开路电压及填充因子,最终提高了光电转化效率。另因有重掺杂带,从而使边缘区域对少数载流子的导电性提高,提高边缘区域对于载流子的收集效率,提高异质结太阳能电池的短路电流,最终也提高了光电转化效率。本发明还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种异质结太阳能电池,其特征在于,包括:晶体硅片;第一掺杂非晶硅层,位于所述晶体硅片的一侧,且与所述晶体硅片构成异质PN结;第一本征层,位于所述晶体硅片与所述第一掺杂非晶硅层之间;第一电极,位于所述第一掺杂非晶硅层的外侧;以及第二电极,位于所述晶体硅片的另一侧;在所述晶体硅片靠近所述第一本征层的一侧表面向内形成有重掺杂带;所述重掺杂带与所述晶体硅片的外缘线之间的间距为0.1mm~0.5mm;所述重掺杂带与所述晶体硅片反型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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