[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置在审
| 申请号： | 201710629300.X | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN108666284A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 野田有辉;久米一平;中村一彦;佐藤兴一 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种具有能抑制缺陷产生的TSV的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤：在半导体衬底的与第1面呈相反侧的第2面上形成第1绝缘膜，所述半导体衬底在所述第1面形成有覆盖配线构造的绝缘层及贯通所述绝缘层的第1贯通电极；使用包含SF6、O2、SiF4、及CF4、Cl2、BCl3、CF3I、HBr的气体，从所述第2面侧对形成有所述第1绝缘膜的所述半导体衬底进行各向异性干式蚀刻，由此形成使所述器件层露出的贯通孔；及在所述贯通孔内形成第2贯通电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 衬底 绝缘层 半导体 贯通电极 贯通孔 绝缘膜 制造 干式蚀刻 配线构造 缺陷产生 器件层 相反侧 面侧 贯通 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括如下步骤：在半导体衬底的与第1面呈相反侧的第2面上形成第1绝缘膜，所述半导体衬底在所述第1面形成有覆盖配线构造的绝缘层及贯通所述绝缘层的第1贯通电极；使用包含SF6、O2、SiF4、及CF4、Cl2、BCl3、CF3I与HBr中任1种以上的气体的气体，从所述第2面侧对形成有所述第1绝缘膜的所述半导体衬底进行各向异性干式蚀刻，由此形成使所述配线构造露出的贯通孔；及在所述贯通孔内形成第2贯通电极。
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