[发明专利]一种横向高压器件

摘要

本发明提供一种横向高压器件，Z方向交叠的第一型掺杂条与第二型掺杂条形成横向超结结构，降低器件导通电阻的同时提高耐压；引入介质槽可有效降低器件表面积，同时承受耐压，降低了器件的比导通电阻的同时保持器件高耐压；在介质槽内引入体场板，体场板在器件关态时调制电场辅助耗尽，有效利用器件左侧分担耐压，在器件开态时候引入电荷提高漂移区载流子数量；将传统槽栅结构分段，栅只置于第一型掺杂条上，关态时栅替代部分第二型掺杂阱区与第一型掺杂条接触，降低一个电场峰，开态时由于第二型掺杂条不参与导电，栅除了原有的沟道外，其侧面也会形成两个导电沟道，本发明可以在提高器件击穿电压的同时，降低器件的比导通电阻。

主权项

一种横向高压器件，其特征在于：其元胞结构包括第二型掺杂衬底(1)、栅氧化层(21)、覆盖介质层(22)、源极第一型重掺杂区(31)、第一型掺杂条(32)、漏极第一型重掺杂区(33)、源极第二型重掺杂区(41)、第二型掺杂阱区(42)、第二型掺杂条(43)、源极接触电极(51)、漏极接触电极(54)、多晶硅栅(52)、体场板(53)、介质槽区(2)；所述第二型掺杂衬底(1)上表面设置有Z方向排列的第一型掺杂条(32)和第二型掺杂条(43)，所述第一型掺杂条(32)、第二型掺杂条(43)包围介质槽区(2)，且被所述介质槽区(2)截成U型，所述介质槽区(2)上表面置有覆盖介质层(22)，体场板(53)深入介质槽区(2)且其上端面与覆盖介质层(22)上端面平齐，所述体场板(53)左侧通过覆盖介质层(22)与漏极接触电极(54)相隔离，所述漏极接触电极(54)下表面置有漏极第一型重掺杂区(33)，所述漏极第一型重掺杂区(33)下边面与第一型掺杂条(32)、第二型掺杂条(43)相接触，所述体场板(53)右侧不与介质槽区(2)右边缘接触，其右上方和介质槽区(2)上方共同与源极接触电极(51)相接触，所述源极接触电极(51)右下方置有相互接触的源极第一型重掺杂区(31)与源极第二型重掺杂区(41)，所述源极第一型重掺杂区(31)和源极第二型重掺杂区(41)下表面与第二型掺杂阱区(42)相接触，所述第二型掺杂阱区(42)下表面与第二型掺杂条(43)和部分第一型掺杂条(32)相接触，所述第一型掺杂条(32)不与第二型掺杂阱区(42)接触的上表面置有栅氧化层(21)，栅氧化层(21)和多晶硅栅(52)构成槽栅结构，所述栅氧化层(21)为槽型且置于第二型掺杂阱区(42)、覆盖介质层(22)、源极第一型重掺杂区(31)内，所述栅氧化层(21)内部置有多晶硅栅(52)，所述多晶硅栅(52)不与栅氧化层(21)边缘接触。