[发明专利]SiC晶片的生成方法有效
| 申请号： | 201710646236.6 | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN107717248B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 平田和也 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B23K26/53 | 分类号： | B23K26/53 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供SiC晶片的生成方法，实现生产性的提高。一种SiC晶片的生成方法，从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该SiC晶片的生成方法包含如下工序：剥离面生成工序，在SiC锭的内部形成多个由改质层和从改质层起沿着c面延伸的裂纹构成的分离层而生成剥离面；以及晶片生成工序，以剥离面为界面将锭的一部分剥离而生成SiC晶片。在剥离面生成工序中，脉冲激光光线的能量密度被设定为如下的能量密度：重叠照射在之前形成的分离层上的脉冲激光光线不会因在分离层上反射而在分离层的上方形成损伤层，或者不会因透过分离层而在分离层的下方形成损伤层。 | ||
| 搜索关键词： | sic 晶片 生成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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