[发明专利]量子点复合发光层的制备方法、QLED器件及其制备方法有效
申请号: | 201710646954.3 | 申请日: | 2017-08-01 |
公开(公告)号: | CN109326728B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 梁柱荣;曹蔚然;刘佳 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艳丽 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于显示器件领域,提供了量子点复合发光层的制备方法、QLED器件及其制备方法。本发明提供的量子点复合发光层的制备方法,通过将软模板剂与量子点在溶剂中混合均匀后形成均一溶液,将该溶液沉积在碳材料层的表面上形成量子点薄膜,再将该量子点薄膜中的软模板剂除去,得到量子点复合发光层。在此过程中,量子点均匀分布在量子点薄膜中,量子点的排布紧密程度及厚度能够通过改变软模板剂的添加量、软模板剂的种类进行轻松地调控,从而提高器件的发光均匀性和稳定性;同时,碳材料层的引入不仅能作为量子点排序的平台,对量子点具有锚定作用,而且其优异的导电性能可以提高载流子的传输和注入,从而提高器件的发光效率;此外,该方法工艺简单,成本低,可实现大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 量子 复合 发光 制备 方法 qled 器件 及其 | ||
【主权项】:
1.一种量子点复合发光层的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:将软模板剂与量子点加入到溶剂中,混合均匀后形成均一溶液;在基板上沉积表面带官能团的碳材料层,将所述均一溶液沉积在所述碳材料层上形成量子点薄膜,去除所述量子点薄膜中的所述软模板剂,形成量子点复合发光层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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