[发明专利]一种QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710646955.8 | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109326729A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 梁柱荣;曹蔚然;刘佳 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于显示器件领域，提供了QLED器件及其制备方法。本发明提供的QLED器件，其发光层引入了表面带官能团的碳材料层和孔隙填充有量子点的多孔硅膜层，一方面，量子点填充在多孔硅膜层的孔隙中，量子点的排布紧密程度及厚度能够通过改变多孔硅膜层的空隙率、空隙大小及膜厚等进行轻松地调控，从而提高器件的发光均匀性和稳定性；另一方面，表面带官能团的碳材料层的引入不仅能作为量子点排序的平台，而且其优异的导电性能可以提高载流子的传输和注入，从而提高器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 多孔硅膜 碳材料层 表面带 制备 载流子 发光均匀性 导电性能 发光效率 孔隙填充 显示器件 发光层 空隙率 引入 膜厚 排布 填充 排序 传输 调控 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，所述器件包括依次设置的衬底、底电极、第一功能层、发光层、第二功能层以及顶电极，其特征在于，所述发光层包括设置在所述第一功能层上的表面带官能团的碳材料层；设置在所述碳材料层上的多孔硅膜层，所述多孔硅膜层的孔隙填充有量子点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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