[发明专利]半导体元件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710654840.3 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109390287B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 洪庆文 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件结构及其制造方法。半导体元件结构包括半导体基板、第一介电层、第二介电层、多个高电阻金属段、多个虚设堆叠结构以及金属连接结构。半导体基板具有一主动元件区域与一非主动元件区域。第一介电层形成于半导体基板上，第二介电层形成于第一介电层上。高电阻金属段形成于第二介电层中并位于非主动元件区域内，且此些高电阻金属段是彼此分隔开来。虚设堆叠结构形成于半导体基板上并位于非主动元件区域内，且至少一个虚设堆叠结构穿过第一介电层和第二介电层且位于两个相邻的高电阻金属段之间。金属连接结构设置于第二介电层上，且此些高电阻金属段经由金属连接结构而彼此电性相连。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件结构，其特征在于，该半导体元件结构包括：半导体基板，具有主动元件区域与非主动元件区域；第一介电层，形成于该半导体基板上；第二介电层，形成于该第一介电层上；多个高电阻金属段，形成于该第二介电层中并位于该非主动元件区域内，其中该些高电阻金属段是彼此分隔开来；多个虚设堆叠结构，形成于该半导体基板上并位于该非主动元件区域内，其中该些虚设堆叠结构中的至少一个虚设堆叠结构穿过该第一介电层和该第二介电层且位于该些高电阻金属段中的两个相邻的该些高电阻金属段之间；以及金属连接结构，设置于该第二介电层上，其中该些高电阻金属段经由该金属连接结构而彼此电性相连。
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