[发明专利]一种低温多晶硅阵列基板的制程方法以及低温多晶硅薄膜晶体管的制程方法

摘要

本发明公开了一种低温多晶硅阵列基板的制程方法以及低温多晶硅薄膜晶体管的制程方法，其中，低温多晶硅阵列基板的制程方法包括提供基板；在基板上形成多晶硅半导体图案，对应于第一类型薄膜晶体管的多晶硅半导体图案中形成有第一沟道区域、第一源极区域和第一漏极区域；形成栅极绝缘层；进行活性处理；经过活性处理后，在栅极绝缘层上形成栅极；在栅极绝缘层和栅极上形成层间绝缘层；进行氢化处理；经过氢化处理后，在层间绝缘层上形成源/漏极图案，且使源/漏极图案分别通过通孔与多晶硅半导体图案中的源极区域和漏极区域相连。通过上述方式，本发明能够使得低温多晶硅技术应用至大尺寸屏幕中。

主权项

一种低温多晶硅(Low Temperature Poly‑Silicon)阵列基板的制程方法，其特征在于，所述低温多晶硅阵列基板包括像素区域和驱动区域，其中，所述像素区域包括多个阵列排列的像素，且每个像素包括一个对应的第一类型薄膜晶体管和一个对应的像素电极；而所述驱动区域包括CMOS电路所组成的驱动电路，每个CMOS电路包括一个第一类型薄膜晶体管和一个第二类型薄膜晶体管，其中，所述制程方法包括：提供基板；在所述基板上形成多晶硅半导体图案，其中，对应于所述第一类型薄膜晶体管的所述多晶硅半导体图案中形成有第一沟道区域、第一源极区域和第一漏极区域；形成栅极绝缘层；进行活性处理；经过活性处理后，在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述栅极绝缘层和所述栅极上形成层间绝缘层；进行氢化处理；经过氢化处理后，在所述层间绝缘层上形成源/漏极图案，且使所述源/漏极图案分别通过通孔与所述多晶硅半导体图案中的所述源极区域和所述漏极区域相连。