[发明专利]一种实现自身静电放电保护的高压器件

摘要

本发明提供一种实现自身静电放电保护的高压器件，包括：半导体衬底；形成于半导体衬底中的第一N‑阱、P‑阱和第二N‑阱；形成于第一N‑阱中的第一N+离子注入区和第一隔离区；形成于P‑阱中的第二N+离子注入区和紧贴第二N+离子注入区的P+离子注入区；形成于第二N‑阱中的第三N+离子注入区；形成于半导体衬底中的第二隔离区，所述第二隔离区覆盖部分第二N‑阱和部分P‑阱，其中，第二N+离子注入区、P+离子注入区和第三N+离子注入区构成NPN型BJT，通过所述BJT实现所述静电放电保护。根据本发明，可以实现不同电压的静电放电保护，把静电放电保护能力和高压器件参数分离开，降低高压器件开发难度，最终降低成本。

主权项

1.一种实现自身静电放电保护的高压器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的第一N‑阱、P‑阱和第二N‑阱；形成于所述第一N‑阱中的第一N+离子注入区和第一隔离区；形成于所述P‑阱中的第二N+离子注入区和紧贴所述第二N+离子注入区的P+离子注入区；形成于所述第二N‑阱中的第三N+离子注入区；形成于所述半导体衬底中的第二隔离区，所述第二隔离区覆盖部分所述第二N‑阱和部分所述P‑阱，其中，所述第二N+离子注入区、所述P+离子注入区和所述第三N+离子注入区构成NPN型BJT，通过所述BJT实现所述静电放电保护。