[发明专利]包括多个平面的非易失性存储器件有效
申请号: | 201710660160.2 | 申请日: | 2017-08-04 |
公开(公告)号: | CN108288484B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 吴星来;金东赫;丁寿男;崔齐玹 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C5/02;G11C5/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 包括多个平面的非易失性存储器件。一种非易失性存储器件包括:在基板上方沿第一方向布置的多条位线;设置在基板与多条位线之间并且包括沿与第一方向垂直的第二方向布置的多个平面的存储单元阵列;设置在基板与存储单元阵列之间的多个页面缓冲电路;设置在页面缓冲电路与存储单元阵列之间并且适于将多条位线与多个页面缓冲电路电联接的多个接触焊盘;以及设置在与多个接触焊盘相同的层处并且沿第二方向延伸的多条路由线,其中,多个接触焊盘被设置为分布成与沿第二方向布置的至少两条线交叠,并且多条路由线被形成为弯曲图案以在被设置为与不同的线交叠的接触焊盘之间穿过。 | ||
搜索关键词: | 包括 平面 非易失性存储器 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性存储器件,该非易失性存储器件包括:多条位线,所述多条位线在基板上方沿第一方向布置;存储单元阵列,所述存储单元阵列设置在所述基板与所述多条位线之间,所述存储单元阵列包括沿与所述第一方向垂直的第二方向布置的多个平面;多个页面缓冲电路,所述多个页面缓冲电路设置在所述基板与所述存储单元阵列之间;多个接触焊盘,所述多个接触焊盘设置在所述多个页面缓冲电路与所述存储单元阵列之间,所述多个接触焊盘适于将所述多条位线与所述多个页面缓冲电路电联接;以及多条路由线,所述多条路由线设置在与所述多个接触焊盘相同的层处,所述多条路由线沿所述第二方向延伸,其中,所述多个接触焊盘被设置为与沿所述第二方向布置的至少两条线交叠,并且所述多条路由线被形成为弯曲图案,以在被设置为与不同的线交叠的接触焊盘之间穿过。
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