[发明专利]IGZO膜层的蚀刻液及其蚀刻方法有效
| 申请号： | 201710662486.9 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107564809B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 甘启明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C09K13/06 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种IGZO膜层的蚀刻液及蚀刻方法。本发明的IGZO膜层的蚀刻液包含酸、磷酸盐、过氧化氢、及水，且该蚀刻液的pH值不超过5，可以有效控制蚀刻的速率，使蚀刻的速率均匀，能够稳定的蚀刻IGZO膜层，同时又不会引入一些影响IGZO电性的杂质，从而可有效提高IGZO‑TFT器件的稳定性。本发明的IGZO膜层的蚀刻方法采用上述的IGZO膜层的蚀刻液，可以有效控制蚀刻的速率，使蚀刻的速率均匀，能够稳定地蚀刻IGZO膜层，同时又不会引入一些影响IGZO电性的杂质，从而可有效提高IGZO‑TFT器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | igzo 蚀刻 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种IGZO膜层的蚀刻液，其特征在于，包含酸、磷酸盐、过氧化氢、及水；所述IGZO膜层的蚀刻液的pH值不超过5；所述IGZO膜层的蚀刻液中，所述酸的质量百分比为2％‑5％，所述磷酸盐的质量百分比为5％‑10％，所述过氧化氢的质量百分比为15％‑22％，水为余量。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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