[发明专利]半导体装置以及半导体装置制造方法有效
| 申请号： | 201710664688.7 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107946277B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;施应庆;王卜;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭露提供一种半导体装置以及半导体装置制造方法。所述半导体装置包含：底部封装，其中在导体与贯穿通路之间的接触表面积大体上等于所述贯穿通路的横截面积，且所述底部封装包含：模塑料；贯穿通路，其穿透所述模塑料；裸片，其模制在所述模塑料中；和导体，其在所述贯穿通路上。本揭露还揭示一种制造半导体装置的相关联方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：底部封装，其包含：模塑料；贯穿通路，其穿透所述模塑料；裸片，其模制在所述模塑料中；以及导体，其在所述贯穿通路上；其中在所述导体与所述贯穿通路之间的接触表面积大体上等于所述贯穿通路的横截面积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710664688.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造半导体器件的方法
- 下一篇：电子零件的制造装置及电子零件的制造方法
