[发明专利]半导体存储器件

摘要

本公开提供了半导体存储器件。一种半导体存储器件包括：字线，在半导体基板中在第一方向上延伸；位线结构，在字线之上跨过并在交叉第一方向的第二方向上延伸；以及接触焊盘结构，在平面图中在字线之间且在位线结构之间。间隔物结构在位线结构与接触焊盘结构之间延伸。间隔物结构包括沿着位线结构的侧壁在第二方向上延伸的第一空气间隙以及围绕每个接触焊盘结构并且联接到第一空气间隙的第二空气间隙。

主权项

一种半导体存储器件，包括：字线，在半导体基板中在第一方向上延伸；位线结构，在所述字线之上跨过并在交叉所述第一方向的第二方向上延伸；接触焊盘结构，在平面图中在所述字线之间以及在所述位线结构之间；以及间隔物结构，在所述位线结构与所述接触焊盘结构之间，其中所述间隔物结构包括：第一空气间隙，沿着所述位线结构的侧壁在所述第二方向上延伸；和第二空气间隙，围绕每个所述接触焊盘结构并且联接到所述第一空气间隙。