[发明专利]半导体器件结构中温度效应的补偿

摘要

本发明涉及半导体器件结构中温度效应的补偿。本公开提供了一种半导体器件结构，其包括：具有绝缘体上半导体(SOI)区和混合区的衬底，其中，SOI区和混合区被至少一个隔离结构隔开，该SOI区由设置在衬底材料之上的半导体层形成，并且掩埋绝缘材料被插入在半导体层和衬底材料之间；设置在SOI区中的半导体器件，该半导体器件包括栅极结构和与该栅极结构相邻形成的源极区和漏极区；以及设置在混合区中的二极管结构，该二极管结构包括掺杂有第一导电类型的掺杂挤的阱区和嵌入在混合区中的阱区中的掺杂有第二导电类型的掺杂剂的阱部分。

主权项

一种半导体器件结构，包括：具有绝缘体上半导体(SOI)区和混合区的衬底，其中，所述SOI区和所述混合区被至少一个隔离结构隔开，所述SOI区由设置在衬底材料之上的半导体层形成，以及掩埋绝缘材料被插入在所述半导体层和所述衬底材料之间；设置在所述SOI区中的半导体器件，所述半导体器件包括栅极结构以及与所述栅极结构相邻形成的源极区和漏极区；以及设置在所述混合区中的二极管结构，所述二极管结构包括掺杂有第一导电类型的掺杂剂的阱区和掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂剂的阱部分，所述阱部分嵌入在所述混合区中的所述阱区中，其中，所述阱区在所述SOI区和所述混合区中的所述衬底材料内延伸并且被配置为用作所述半导体器件的背栅极。