[发明专利]一种MOS功率器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种MOS功率器件及其制备方法，方法包括：提供一第一掺杂类型重掺杂的衬底，并于第一表面上形成第一掺杂类型轻掺杂的外延层；于外延层内形成阱区；于阱区内形成环绕JFET区的源区，并于环绕源区的阱区内形成保护区；于定义的JFET区进行所述第一掺杂类型的掺杂，形成JFET掺杂区；于外延层表面形成栅结构，并于所述栅结构表面沉积表面钝化层；形成与栅结构电连接的栅金属电极，于源区表面形成源金属电极，于衬底的第二表面形成漏金属电极。通过上述方案，本发明在常规平面栅MOSFET功率器件的JFET区域进行n型离子注入后，可以显著降低JFET区电阻，进而降低器件导通电阻；采用光刻胶代替常规的二氧化硅作为注入掩膜，大大降低工艺成本以及缩减工艺流程。

主权项

一种MOS功率器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一第一掺杂类型重掺杂的衬底，且所述衬底具有第一表面和第二表面，并于所述第一表面上形成第一掺杂类型轻掺杂的外延层；2)于所述外延层内定义JFET区，并于环绕所述JFET区的外延层内进行第二掺杂类型的掺杂，以形成阱区；3)于所述阱区内进行第一掺杂类型的重掺杂，以形成环绕所述JFET区的源区，并于环绕所述源区的阱区内进行第二掺杂类型的重掺杂，以形成保护区；4)于定义的所述JFET区进行第一掺杂类型的掺杂，以形成JFET掺杂区；5)于所述外延层表面形成栅结构，所述栅结构至少覆盖所述JFET掺杂区，并于所述栅结构表面沉积表面钝化层，所述表面钝化层内形成有与所述栅结构对应的第一窗口；6)于所述第一窗口内形成与所述栅结构电连接的栅金属电极，于所述源区表面形成源金属电极，于所述衬底的第二表面形成漏金属电极。