[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法有效
申请号: | 201710679593.2 | 申请日: | 2017-08-10 |
公开(公告)号: | CN107732007B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 堀井秀树;朴盛健;安东浩;李政武 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法,其中该可变电阻存储器件包括位于基板之上的第一导电线。每个第一导电线在第一方向上延伸并且第一导电线设置在第二方向上。每个第二导电线在第二方向上延伸并且第二导电线在第一方向上设置。第二导电线位于第一导电线之上。存储单元位于第一导电线和第二导电线之间。存储单元在第三方向上交叠第一导电线和第二导电线。存储单元包括第一电极、位于第一电极上的可变电阻图案以及位于可变电阻图案上的第二电极。选择图案位于每个存储单元上。第三电极位于选择图案之上。第三电极与每个第二导电线的下表面直接接触。 | ||
搜索关键词: | 可变 电阻 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种可变电阻存储器件,包括:位于基板之上的第一导电线,其中所述第一导电线的每个在第一方向上延伸,所述第一导电线设置在交叉所述第一方向的第二方向上,其中所述第一方向和所述第二方向基本上平行于所述基板的上表面;第二导电线,所述第二导电线的每个在所述第二方向上延伸,其中所述第二导电线设置在所述第一方向上,其中所述第二导电线位于所述第一导电线之上;存储单元,位于所述第一导电线和所述第二导电线之间,其中所述存储单元在基本上垂直于所述基板的所述上表面的第三方向上交叠所述第一导电线和所述第二导电线,其中所述存储单元包括:第一电极;位于所述第一电极上的可变电阻图案;以及位于所述可变电阻图案上的第二电极;选择图案,位于所述存储单元上;以及第三电极,位于所述选择图案之上,其中所述第三电极与所述第二导电线的每个的下表面直接接触,其中所述选择图案的上表面和所述第三电极的下表面具有彼此基本上相同的形状和宽度。
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