[发明专利]直接带隙GeSn互补型TFET有效
| 申请号： | 201710687778.8 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107611123B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 合肥矽景电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082;H01L29/16;H01L29/161;H01L29/739 |
| 代理公司： | 11357 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 饶富春 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种直接带隙GeSn互补型TFET，包括：Si衬底101；Ge外延层102，设置于衬底101上表面；GeSn层103，设置于Ge外延层102上表面；P型基底104、N型基底105，设置于GeSn层103内；第一源区106、第一漏区107，设置于P型基底104内并位于两侧位置处；第二源区108、第二漏区109，设置于N型基底105内并位于两侧位置处；第一源区电极110，设置于第一源区106上表面；第一漏区电极111，设置于第一漏区107上表面；第二源区电极112，设置于第二源区108上表面；第二漏区电极113，设置于第二漏区109上表面。本发明采用晶化Ge层为Ge外延层，可有效降低Ge外延层的位错密度、表面粗糙度、界面缺陷，提升Ge外延层的质量从而得到更高质量的GeSn外延层，为高性能TFET的制备提供物质基础。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 gesn 互补 tfet | ||
【主权项】：
1.一种直接带隙GeSn互补型TFET(100)，其特征在于，包括：/nSi衬底(101)；/nGe外延层(102)，设置于所述衬底(101)上表面；所述Ge外延层为晶化Ge层，所述晶化Ge层采用连续激光再晶化工艺处理，激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
