[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件包括非易失性存储器。该非易失性存储器包括设置在衬底上的第一介电层、设置在介电层上的浮置栅极、控制栅极。第二介电层设置在浮置栅极和控制栅极之间，具有氮化硅层、氧化硅层以及它们的多层的一种。第三介电层设置在第二介电层和控制栅极之间，并且包括具有高于氮化硅的介电常数的介电材料。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

主权项

1.一种用于制造包括非易失性存储器的半导体器件的方法，所述方法包括：/n形成单元结构，所述单元结构包括：/n堆叠结构，包括设置在第一介电层上方的第一多晶硅层、设置在所述第一多晶硅层上方的第二介电层、设置在所述第二介电层上方的第三介电层以及设置在所述第三介电层上方的第二多晶硅层；和/n第三多晶硅层，设置在所述堆叠结构的两侧处；/n至少部分地去除所述第二多晶硅层，从而形成控制栅极间隔；以及/n在所述控制栅极间隔中形成导电材料；/n其中，形成所述单元结构包括：/n在衬底上方形成所述第一介电层；/n在所述第一介电层上方形成用于所述第一多晶硅层的第一多晶硅膜；/n在所述第一多晶硅膜上方形成用于所述第二介电层的第二介电膜；/n在所述第二介电膜上方形成用于所述第三介电层的第三介电膜；/n在所述第三介电膜上方形成用于所述第二多晶硅层的第二多晶硅膜；/n图案化所述第二多晶硅膜和所述第三介电膜，从而形成所述第二多晶硅层和所述第三介电层；/n在形成所述第二多晶硅层和所述第三介电层之后，图案化所述第二介电膜和所述第一多晶硅膜，从而形成所述堆叠结构；/n在所述堆叠结构的两侧处形成用于所述第三多晶硅层的第三多晶硅膜；以及/n对所述堆叠结构和所述第三多晶硅层实施平坦化操作。/n