[发明专利]半导体方法和器件

摘要

在一些实施例中，一种半导体工艺的方法包括在设置在掩模层上方的多个芯轴上方共形地形成间隔件层，间隔件层的设置在多个芯轴中的相邻芯轴的相对侧壁上方的部分限定位于该部分之间的沟槽，用伪材料填充沟槽，并且去除伪材料的位于沟槽中的第一部分，从而在伪材料中形成多个开口。该方法还包括用第一材料填充多个开口，去除伪材料的位于沟槽中的剩余部分，并且在去除伪材料之后去除多个芯轴。本发明实施例涉及半导体方法和器件。

主权项

一种半导体处理的方法，包括：在设置在掩模层上方的多个芯轴上方共形地形成间隔件层，所述间隔件层的设置在所述多个芯轴的相邻芯轴的相对侧壁上方的部分限定位于所述部分之间的沟槽；用伪材料填充所述沟槽；去除所述伪材料的位于所述沟槽中的第一部分，从而在所述伪材料中形成多个开口；用第一材料填充所述多个开口；去除所述伪材料的位于所述沟槽中的剩余部分；以及在去除所述伪材料之后去除所述多个芯轴。