[发明专利]闪存的纠错方法、装置、设备以及计算机可读存储介质有效
| 申请号： | 201710703447.9 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107657984B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 梁冬柳;李志雄;邓恩华;尹慧 | 申请（专利权）人： | 深圳市江波龙电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区科发路8*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于电子通信技术领域，提供了一种闪存的纠错方法、装置、设备以及计算机可读存储介质，所述纠错方法包括：读取闪存的初始硬数据，所述初始硬数据为闪存默认的窗口电压值下读取的闪存的硬数据；读取所述闪存的调整硬数据，所述调整硬数据为调整所述闪存的窗口电压值并在调整后的窗口电压值下读取的闪存的硬数据，其中，所述窗口电压值调整至少2次；根据所述初始硬数据与所述调整硬数据确定对数似然比LLR的值；根据所述对数似然比LLR的值，对所述闪存的初始硬数据进行纠错。通过上述方法能够提高LDPC的纠错能力。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 纠错 方法 装置 设备 以及 计算机 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
一种闪存的纠错方法，其特征在于，所述纠错方法包括：读取闪存的初始硬数据，所述初始硬数据为闪存默认的窗口电压值下读取的闪存的硬数据；读取所述闪存的调整硬数据，所述调整硬数据为调整所述闪存的窗口电压值并在调整后的窗口电压值下读取的闪存的硬数据，其中，所述窗口电压值调整至少2次；根据所述初始硬数据与所述调整硬数据确定对数似然比LLR的值；根据所述对数似然比LLR的值，对所述闪存的初始硬数据进行纠错。
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