[发明专利]等离子体蚀刻方法有效
| 申请号： | 201710704465.9 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN108022838B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 石丸亮;宇根聪;森政士 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柯瑞京 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种在使用微细化的图案对含有钨元素的膜进行蚀刻的等离子体蚀刻方法中能够以相对于SiN膜高选择比并且高产量地对含有钨元素的膜进行蚀刻的等离子体蚀刻方法。本发明的特征在于，在使用等离子体对含有钨元素的膜进行蚀刻的等离子体蚀刻方法中，使用含有硅元素的气体、含有卤素元素的气体、以及含有碳元素和氧元素的气体对所述含有钨元素的膜进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体蚀刻方法，使用等离子体对含有钨元素的膜进行蚀刻，其特征在于，通过使用含有硅元素的气体、含有卤素元素的气体、以及含有碳元素和氧元素的气体而生成的等离子体，对所述含有钨元素的膜进行蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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