[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201710704697.4 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109411405A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 永井享浩 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含一半导体基底；一第一层间介电层，设于该半导体基底上；一金属垫，设于该第一层间介电层中；一接触自对准结构，设于该第一层间介电层上，该接触自对准结构包含一开口，位于该金属垫正上方；一第二层间介电层，设于该第一层间介电层上；及一接触插塞，贯穿该第二层间介电层，并经由该接触自对准结构的该开口，电连接至该金属垫。 | ||
| 搜索关键词： | 第一层 介电层 半导体结构 金属垫 自对准 半导体基底 层间介电层 开口 接触插塞 电连接 制作 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包含：半导体基底；第一层间介电层，设于该半导体基底上；金属垫，设于该第一层间介电层中；接触自对准结构，设于该第一层间介电层上，该接触自对准结构包含一开口，位于该金属垫正上方；第二层间介电层，设于该第一层间介电层上；及接触插塞，贯穿该第二层间介电层，并通过该接触自对准结构的该开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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