[发明专利]用于半导体封装的连接芯片焊盘的引线框架

摘要

本发明涉及一种用于半导体封装的连接芯片焊盘的引线框架。用于成型的塑料半导体封装的再分布引线框架其由导电衬底通过连续金属移除工艺形成。所述工艺包括图案化衬底的第一侧以形成由沟道隔离的连接盘阵列；将第一成型化合物设置在那些沟道内；图案化衬底的第二侧以形成芯片附着点阵列和电互连连接盘阵列与芯片附着点阵列的路径电路；直接将半导体装置上的输入/输出焊盘电互连到芯片附着点；以及用第二成型化合物密封半导体装置、芯片附着点阵列和路径电路。本工艺尤其适于制造芯片级封装和非常薄的封装。

主权项

一种用于包封至少一个半导体装置(28)的封装(138)，包括：引线框架，所述引线框架包含导电衬底且具有相对的第一和第二侧，所述引线框架的所述第一侧具有平坦的第一侧表面(121)和连接盘(14)阵列，每个所述连接盘的表面包括一部分所述第一侧表面，所述连接盘适于接合到外部电路且安排成第一图案，以及所述引线框架的所述第二侧具有平坦的第二侧表面(122)和芯片附着点(124)阵列，每个所述芯片附着点包括一部分所述第二侧表面，所述芯片附着点安排成第二图案且通过互连(30)直接电互连到所述至少一个半导体装置(28)上的输入/输出焊盘，所述芯片附着点设置成与所述输入/输出焊盘相对，和多个电隔离的路径电路(26)，其每个具有包括一部分所述第二侧表面且与所述芯片附着点(124)共面的表面，且其电互连所述连接盘(14)阵列和所述芯片附着点(124)阵列的独立组合；第一成型化合物(18)，其设置在所述引线框架的所述第一侧上且位于所述连接盘(14)阵列的各个连接盘之间，所述第一成型化合物具有包括一部分所述第一侧表面(121)的表面；以及第二成型化合物(36)，其密封所述至少一个半导体装置(28)、所述芯片附着点(124)阵列和所述路径电路(26)，其中所述连接盘和所述芯片附着点由单片导电结构形成，所述连接盘(14)阵列具有的横向范围大于或等于所述芯片附着点(124)阵列的横向范围，且该第二成型化合物不延伸到该引线框架的第一侧。