[发明专利]曝光光罩以及光阻材料图形化方法在审
| 申请号： | 201710709555.7 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN107367908A | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 李燕 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,黄进 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种曝光光罩，其包括第一曝光区域、第二曝光区域和包围所述第一曝光区域和第二曝光区域的遮光区域，所述第二曝光区域邻近于所述第一曝光区域的边缘设置，所述第二曝光区域包括按照逐渐远离所述第一曝光区域的方向依次并行排列第1至第M个子曝光区域；其中，第n个子曝光区域的曝光分辨率大于第n+1个子曝光区域的曝光分辨率；其中，M为大于2的整数，n＝1、2、3、…、M‑1。本发明还公开了一种光阻材料图形化方法，采用本发明提供的曝光光罩对图形化的光阻结构层进行二次曝光、显影，实现在指定位置对光阻结构层的坡度角(taper angle)进行变更调整。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 以及 材料 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种曝光光罩，其特征在于，包括第一曝光区域、第二曝光区域和包围所述第一曝光区域和第二曝光区域的遮光区域，所述第二曝光区域邻近于所述第一曝光区域的边缘设置，所述第二曝光区域包括按照逐渐远离所述第一曝光区域的方向依次并行排列第1至第M个子曝光区域；其中，第n个子曝光区域的曝光分辨率大于第n+1个子曝光区域的曝光分辨率；其中，M为大于2的整数，n＝1、2、3、…、M‑1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司，未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710709555.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种花卉护理防涝种植装置
- 下一篇：一种灭蚊花盆
