[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710711275.X | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN109411414B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：分别在第一伪栅结构和第一侧墙两侧的第一鳍部内形成第一源漏凹槽；在所述第一源漏凹槽的侧壁和底部形成第一半导体层；在所述第一半导体层上形成填充所述第一源漏凹槽的第一源漏掺杂层。所述形成方法在第一源漏掺杂层与第一鳍部之间形成第一半导体层，降低第一源漏掺杂层与第一鳍部之间产生结面漏电流的风险，由此提高了半导体结构的电学稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区，所述衬底的第一区上具有第一鳍部，位于所述衬底上的隔离结构，所述隔离结构覆盖所述第一鳍部的部分侧壁；形成横跨所述第一鳍部的第一伪栅结构，所述第一伪栅结构位于部分隔离结构上，且覆盖所述第一鳍部的部分侧壁和顶部表面；在所述第一伪栅结构的侧壁形成第一侧墙；在所述第一伪栅结构和第一侧墙两侧的第一鳍部内分别形成第一源漏凹槽；在所述第一源漏凹槽的侧壁和底部形成第一半导体层；在所述第一半导体层上形成填充所述第一源漏凹槽的第一源漏掺杂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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