[发明专利]制造具有改进的漏极中的金属落置的ESD FINFET的系统和方法有效
| 申请号： | 201710711927.X | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN108010967B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李宗吉;谢东衡;杨宝如;张永丰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法。在包括第一区域和第二区域的有源区上方形成芯轴。保留第一区域和第二区域，从而用于分别形成FinFET的源极和漏极。将芯轴的形成在第二区域上方的部分破坏成第一部分和通过间隙与第一部分分离的第二部分。在芯轴的相对侧上形成间隔件。使用间隔件，限定鳍。鳍从有源区外向上突出。第二区域的对应于间隙的部分没有形成在其上方的鳍。在第一区域中且在鳍上外延生长源极。在第二区域的没有鳍的部分上外延生长漏极的至少一部分。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 改进 中的 金属 esd finfet 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在包括第一区域和第二区域的有源区上方形成芯轴，其中，保留所述第一区域，从而用于形成鳍式场效应晶体管的源极组件，保留所述第二区域，从而用于形成所述鳍式场效应晶体管的漏极组件，并且实施形成所述芯轴，从而使得将所述芯轴的形成在所述第二区域上方的部分断裂成第一部分和通过间隙与所述第一部分分离的第二部分；在所述芯轴的相对两侧上形成间隔件；使用所述间隔件来限定从所述有源区处向上突出的鳍，其中，所述第二区域的对应于所述间隙的部分没有形成在其上方的所述鳍；以及在所述第一区域中外延生长所述源级组件以及在所述第二区域中外延生长所述漏极组件，其中，所述源级组件外延生长在所述鳍上且在所述第一区域中，并且所述漏极组件的至少一部分外延生长在所述第二区域的没有所述鳍的所述部分上。
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