[发明专利]阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201710718273.3 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN107482021B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 先建波;程鸿飞;乔勇;马永达 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/417 |
| 代理公司： | 11403 北京风雅颂专利代理有限公司 | 代理人： | 李莎;李弘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及显示装置，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的栅极层、源漏极层和TFT；所述栅极层包括所述TFT的栅极，所述源漏极层包括所述TFT的源极和漏极；所述TFT的漏极包括漏极主体和延伸部，所述漏极主体与所述TFT的栅极存在交叠，所述延伸部在非TFT区域与所述栅极层存在交叠。本发明提出的阵列基板及显示装置，能够解决漏极与栅极线的交叠面积发生波动的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的栅极层、源漏极层和TFT；所述栅极层包括所述TFT的栅极，所述源漏极层包括所述TFT的源极和漏极；其特征在于，所述TFT的漏极包括漏极主体和延伸部，所述漏极主体与所述TFT的栅极存在交叠，所述延伸部在非TFT区域与所述栅极层存在交叠；/n其中，所述TFT的数量为至少2个，包括第一TFT和第二TFT；所述第一TFT和第二TFT共享有源层，且所述第一TFT的漏极和所述第二TFT的漏极分别连接不同的电子元件或功能单元；所述第一TFT的漏极的延伸部与所述栅极层存在交叠，所述第二TFT的漏极的延伸部与所述栅极层也存在交叠。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710718273.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
