[发明专利]一种LED外延结构及其制作方法

摘要

本申请提供一种LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构制作方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括平面区域和相对于平面区域凸起的凸起结构；在图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，缓冲层与凸起结构之间具有间隙。仅在图形化衬底的平面区域制作缓冲层，而图形化衬底的凸起结构上不设置缓冲层，从而避免图形化衬底的凸起结构上的缓冲层作为后续LED外延材料的成核中心，只保留沿一个方向生长的组分，避免了其他方向生长的成分，从而避免了后续晶核联接及二维生长时，引入高的应力，使得LED外延结构的晶体质量明显提升，避免了不同晶面晶核联接时产生的应力，进而解决了外延材料因应力增加导致的翘曲异常的问题。

主权项

1.一种LED外延结构的制作方法，其特征在于，包括：提供图形化衬底，所述图形化衬底包括平面区域和相对于所述平面区域凸起的凸起结构；在所述图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，所述缓冲层与所述凸起结构之间具有间隙；所述在所述图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，具体包括：在所述图形化衬底的平面区域和凸起结构上生长一层绝缘材料层；在所述绝缘材料层表面涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，形成第一掩膜；以所述第一掩膜为掩膜板，对所述绝缘材料层进行刻蚀，去掉所述凸起结构上的绝缘材料层，并保留所述图形化衬底平面区域的绝缘材料层，形成缓冲层。