[发明专利]一种三维存储器的制备方法及其结构

摘要

本发明提供的一种三维存储器的制备方法及其结构，通过将外围电路区的接触孔工艺提前到阵列存储区金属栅工艺之前，实现接触孔的刻蚀对外围电路区二氧化硅薄膜应力的释放，改善晶圆宏观应力分布，并有效减小弯曲，另外由于外围电路区接触孔置于阵列存储区金属栅工艺之前，阵列存储区金属栅工艺的局部应力不均匀性不会造成外围电路的接触失效。本发明的目的是通过以下技术方案实现的。

主权项

一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板，在所述基板上形成三维存储器的外围电路区和阵列存储区；在所述基板上形成表面平坦的绝缘层以覆盖上述外围电路区和阵列存储区；在所述阵列存储区中形成存储单元的沟道区；对所述外围电路区上的绝缘层进行图形化，刻蚀以及金属填充以形成与所述外围电路区电连接的多个第一接触孔；在所述阵列存储区形成存储单元的金属栅；对所述阵列存储区上的绝缘层进行图形化，刻蚀以及金属填充以形成与所述阵列存储区的每一个金属栅电连接的多个第二接触孔。