[发明专利]用于集成电路裸片的自对准的方法和装置在审
| 申请号： | 201710725792.2 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107799450A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | L-C·王;M·雅各布斯 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 酆迅,董典红 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开描述了用于自对准集成电路(IC)裸片的装置和技术。在一些方面中，在基板表面上形成疏水材料的图案。该图案可以暴露基板表面的用于放置IC裸片的区域。然后，将水基溶液施加到该区域，使得液滴形成在基板表面的暴露区域上。IC裸片被放置在水基溶液的液滴上，这使得IC裸片与基板表面的暴露区域对准。然后使液滴蒸发，使得经对准的IC裸片安置在基板表面的暴露区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 对准 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在基板表面上以一种图案形成疏水材料，所述图案暴露所述基板表面的用于放置集成电路(IC)裸片的区域；向暴露区域施加水基溶液，使得所述水基溶液的液滴形成在所述基板表面的所述暴露区域上；将IC裸片放置在形成于所述基板表面的所述暴露区域上的所述水基溶液的所述液滴上；以及使所述水基溶液的所述液滴蒸发，使得所述IC裸片安置在所述基板表面的所述暴露区域上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于马维尔国际贸易有限公司，未经马维尔国际贸易有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710725792.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
