[发明专利]GOA阵列基板及TFT显示大板有效
| 申请号： | 201710725798.X | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107329341B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 陈仁禄;陈书志 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GOA阵列基板及TFT显示大板。本发明的GOA阵列基板，将部分GOA单元中电容结构的第二电极设置为TFT测试键，该TFT测试键包括第一测试部、第二测试部、及连接所述第一测试部和第二测试部的第三连接部，其中，所述第一测试部和第二测试部分别对应TFT结构中的源极单元的形状和漏极单元的形状设置，所述第一测试部和第二测试部所构成的图形与所述TFT结构中的至少一个源漏极单元组的图形相同，本发明区分了TFT测试键位于基板内外监控可靠性的差异，将用于监控的TFT测试键设置于GOA电路中，能够精确监控GOA电路中TFT的沟道长度与源漏极最终蚀刻完成值，从而找出最佳的制程设计值。 | ||
| 搜索关键词： | goa 阵列 tft 显示 | ||
【主权项】：
1.一种GOA阵列基板，包括：/n衬底基板(100)，包括位于中部的显示区域(101)以及位于所述显示区域外围的非显示区域(102)；/nGOA驱动电路(200)，设于所述衬底基板(100)的非显示区域(102)上，包括多个各级联的GOA单元；/n其特征在于，每一所述GOA单元均包括相连接的电容结构和TFT结构；/n每一所述TFT结构均包括一对同层且相间隔的源极(211)和漏极(212)，其中，所述源极(211)包括并列相连的多个源极单元(2111)，所述漏极(212)包括多个并列相连的且与所述多个源极单元(2111)一一对应的漏极单元(2121)，每一源极单元(2111)与其对应的漏极单元(2121)构成源漏极单元组，每一源极单元(2111)与其对应的漏极单元(2121)之间构成沟道区单元；/n每一所述电容结构均包括与所述源极(211)和漏极(212)同层设置的第二电极(221)；/n所述多个GOA单元的电容结构中至少有一个电容结构为测试电容结构，该测试电容结构的第二电极(221)为TFT测试键(2210)，该TFT测试键(2210)包括第一测试部(2211)、第二测试部(2212)、及连接所述第一测试部(2211)和第二测试部(2212)的第三连接部(2213)，其中，所述第一测试部(2211)和第二测试部(2212)分别对应所述TFT结构中的源极单元(2111)的形状和漏极单元(2121)的形状设置，所述第一测试部(2211)和第二测试部(2212)所构成的图形与所述TFT结构中的至少一个源漏极单元组的图形相同。/n
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