[发明专利]开关器件封装结构、空调器的电控板以及空调器在审

专利信息
申请号: 201710725884.0 申请日: 2017-08-22
公开(公告)号: CN107508585A 公开(公告)日: 2017-12-22
发明(设计)人: 李媛媛;冯宇翔 申请(专利权)人: 广东美的制冷设备有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;F24F11/00
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 代理人: 黄德海
地址: 528311 广东省佛山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种开关器件封装结构、空调器的电控板以及空调器,开关器件封装结构包括基板,基板上设置有第一金属布线框;高电子迁移率晶体管,高电子迁移率晶体管采用倒装的方式设置在第一金属布线框上;设置于基板之上的MOSFET,MOSFET与高电子迁移率晶体管串联,其中,高电子迁移率晶体管的栅极与MOSFET的源极相连后作为开关器件的源极,高电子迁移率晶体管的源极与MOSFET的漏极相连,MOSFET的栅极作为开关器件的栅极,高电子迁移率晶体管的漏极作为开关器件的漏极,MOSFET的Vds电压值的绝对值与高电子迁移率晶体管的Vgs电压值的绝对值相等,从而能承受高电压且更节能、更适用于高频使用,而且可降低驱动设计要求,还可增加高电子迁移率晶体管部分的散热性能。
搜索关键词: 开关 器件 封装 结构 空调器 电控板 以及
【主权项】:
一种开关器件封装结构,其特征在于,包括:基板,所述基板上设置有第一金属布线框;高电子迁移率晶体管,所述高电子迁移率晶体管采用倒装的方式设置在所述第一金属布线框上;设置于所述基板之上的MOSFET,所述MOSFET与所述高电子迁移率晶体管串联,其中,所述高电子迁移率晶体管的栅极与所述MOSFET的源极相连后作为开关器件的源极,所述高电子迁移率晶体管的源极与所述MOSFET的漏极相连,所述MOSFET的栅极作为所述开关器件的栅极,所述高电子迁移率晶体管的漏极作为所述开关器件的漏极,所述MOSFET的Vds电压值的绝对值与所述高电子迁移率晶体管的Vgs电压值的绝对值相等。
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