[发明专利]一种3DNAND闪存结构中硅外延生长的工艺在审
| 申请号： | 201710727917.5 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN107611130A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 张坤;刘藩东;何佳;杨要华;吴林春;夏志良;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种3D NAND闪存结构中硅外延生长的工艺，包括沉积衬底堆叠结构；刻蚀衬底堆叠结构以形成沟道和衬底表面的硅槽；清洗所述沟道和硅槽；高温退火处理；硅外延生长预清洗；硅外延生长。通过高温退火处理，对刻蚀造成破坏的硅槽表面进行氧化，从而消除了沟道底部硅槽中的聚合物残留，同时也能够对遭到破坏的后续硅外延生长的表面产生一定的氧化修复作用，消除界面破坏和晶格缺陷；在高温退火处理之前增加湿法清洗的步骤，能够获得后续更好的氧化退火和界面修复的效果；本发明的工艺能够有效的对深沟道进行刻蚀，并避免氧化物的残留以及刻蚀破坏界面层的产生，从而提高硅外延生长高度的均匀性，并避免硅外延生长的空隙，提高3D NAND闪存整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dnand 闪存 结构 外延 生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种3D NAND闪存结构中硅外延生长的工艺，其特征在于，包括以下步骤：沉积衬底堆叠结构；刻蚀衬底堆叠结构以形成沟道和衬底表面的硅槽；清洗所述沟道和硅槽；高温退火处理；硅外延生长预清洗；硅外延生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710727917.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
