[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710731144.8 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN108122771B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张世杰;李承翰;黄翊铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法和所得到的结构。在实施例中，生长源极/漏极区。一旦生长源极/漏极区，就重新成形源极/漏极区以便去除切面。可以使用蚀刻工艺实施重新成形，由此源极/漏极区的横向蚀刻速率大于源极/漏极区的垂直蚀刻速率。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体鳍上方形成栅极堆叠件，所述半导体鳍位于衬底上方；邻近所述栅极堆叠件选择性地生长源极/漏极区；以及在选择性地生长所述源极/漏极区之后重新成形所述源极/漏极区，其中，重新成形所述源极/漏极区形成垂直的侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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