[发明专利]异常探测方法以及半导体制造装置有效
| 申请号： | 201710733217.7 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107799378B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 大木达也;望月宏朗 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种异常探测方法以及半导体制造装置。目的在于高精度地探测基板处理中的异常。提供一种异常探测方法，包括以下工序：计算针对工艺条件的3倍标准偏差值，并基于所计算出的所述3倍标准偏差值来计算异常探测的上限值和下限值中的至少一方，所述工艺条件是对被正常进行了处理的多个基板基于进行处理时的日志信息以规定的间隔收集到的；以及基于所计算出的所述异常探测的上限值和下限值中的至少一方，来检测基板处理的异常。 | ||
| 搜索关键词： | 异常 探测 方法 以及 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】：
一种异常探测方法，包括以下工序：计算针对工艺条件的3倍标准偏差值，并基于所计算出的所述3倍标准偏差值来计算异常探测的上限值和下限值中的至少一方，所述工艺条件是对被正常进行了处理的多个基板基于进行处理时的日志信息以规定的间隔收集到的；以及基于所计算出的所述异常探测的上限值和下限值中的至少一方，来检测基板处理的异常。
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