[发明专利]一种阵列基板、显示面板及其制备方法在审
申请号: | 201710733947.7 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107516663A | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 郑海虹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请提供一种阵列基板、显示面板及其制备方法,以改善现有技术制作的阵列基板上的部分薄膜晶体管漏电流较高,在显示装置工作中无法快速、准确地关断的问题。该阵列基板的制作方法,包括在衬底基板之上形成非晶硅薄膜;在所述非晶硅薄膜之上的部分区域形成激光阻挡层,所述激光阻挡层在所述衬底基板上的正投影与用于形成具有预设电子迁移率第一薄膜晶体管的第一有源区图案在所述衬底基板上的正投影重叠;在所述激光阻挡层的遮挡下,采用激光照射所述非晶硅薄膜;将照射后的所述非晶硅薄膜转化为图案化的有源层。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板之上形成非晶硅薄膜;在所述非晶硅薄膜之上的部分区域形成激光阻挡层,所述激光阻挡层在所述衬底基板上的正投影与用于形成具有预设电子迁移率第一薄膜晶体管的第一有源区图案在所述衬底基板上的正投影重叠;在所述激光阻挡层的遮挡下,采用激光照射所述非晶硅薄膜;将照射后的所述非晶硅薄膜转化为图案化的有源层,其中,所述有源层的图案包括用于制作所述第一薄膜晶体管的所述第一有源区图案,以及用于制作第二薄膜晶体管的第二有源区图案,所述第一薄膜晶体管的电子迁移率小于所述第二薄膜晶体管的电子迁移率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的