[发明专利]一种静电释放保护装置及电路有效

专利信息
申请号: 201710734353.8 申请日: 2017-08-24
公开(公告)号: CN109427764B 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 梁艳峰;晁康洁;舒迎飞;濮春朗 申请(专利权)人: 华为终端有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 冯艳莲
地址: 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请公开了一种静电释放保护装置及电路,用以在逻辑门电路中产生静电释放现象时避免逻辑门电路中的元器件损坏、保护逻辑门电路。该静电释放保护装置包括逻辑门电路和第一晶体管。逻辑门电路用于实现指定逻辑运算;第一晶体管的栅极悬空,第一晶体管的源极与逻辑门电路的第一电极连接,第一晶体管的漏极与逻辑门电路的第二电极连接,用于在第一电极和第二电极之间存在静电释放时保护逻辑门电路,第一电极和第二电极为逻辑门电路的源极、栅极和漏极中任意两个不同的电极;其中,第一晶体管的源极和漏极之间通过非晶硅层连接。
搜索关键词: 一种 静电 释放 保护装置 电路
【主权项】:
1.一种静电释放保护装置,其特征在于,包括:逻辑门电路,用于实现指定逻辑运算;第一晶体管,所述第一晶体管的栅极悬空,所述第一晶体管的源极与所述逻辑门电路的第一电极连接,所述第一晶体管的漏极与所述逻辑门电路的第二电极连接,用于在所述第一电极和所述第二电极之间存在静电释放时保护所述逻辑门电路,所述第一电极和所述第二电极为所述逻辑门电路的源极、栅极和漏极中任意两个不同的电极;其中,所述第一晶体管的源极和漏极之间通过非晶硅层连接。
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