[发明专利]一种静电释放保护装置及电路有效
申请号: | 201710734353.8 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN109427764B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 梁艳峰;晁康洁;舒迎飞;濮春朗 | 申请(专利权)人: | 华为终端有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 冯艳莲 |
地址: | 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种静电释放保护装置及电路,用以在逻辑门电路中产生静电释放现象时避免逻辑门电路中的元器件损坏、保护逻辑门电路。该静电释放保护装置包括逻辑门电路和第一晶体管。逻辑门电路用于实现指定逻辑运算;第一晶体管的栅极悬空,第一晶体管的源极与逻辑门电路的第一电极连接,第一晶体管的漏极与逻辑门电路的第二电极连接,用于在第一电极和第二电极之间存在静电释放时保护逻辑门电路,第一电极和第二电极为逻辑门电路的源极、栅极和漏极中任意两个不同的电极;其中,第一晶体管的源极和漏极之间通过非晶硅层连接。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电 释放 保护装置 电路 | ||
【主权项】:
1.一种静电释放保护装置,其特征在于,包括:逻辑门电路,用于实现指定逻辑运算;第一晶体管,所述第一晶体管的栅极悬空,所述第一晶体管的源极与所述逻辑门电路的第一电极连接,所述第一晶体管的漏极与所述逻辑门电路的第二电极连接,用于在所述第一电极和所述第二电极之间存在静电释放时保护所述逻辑门电路,所述第一电极和所述第二电极为所述逻辑门电路的源极、栅极和漏极中任意两个不同的电极;其中,所述第一晶体管的源极和漏极之间通过非晶硅层连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为终端有限公司,未经华为终端有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710734353.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的