[发明专利]像素内部补偿电路及驱动方法有效
| 申请号： | 201710737280.8 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107393478B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 何健;许神贤 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/3233 | 分类号： | G09G3/3233 |
| 代理公司： | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人： | 林才桂;刘巍 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种像素内部补偿电路及驱动方法。该像素内部补偿电路包括：第一薄膜晶体管(T1)栅极连接第三控制信号(SCAN3)，源极和漏极连接数据电压(Vdata)和第一节点(A)；第二薄膜晶体管(T2)栅极连接第一节点(A)，源极和漏极连接第二节点(B)和电源高电位(OVDD)；第三薄膜晶体管(T3)栅极连接第一控制信号(SCAN1)，源极和漏极连接第一节点(A)和参考电位(Vref)；第四薄膜晶体管(T4)栅极连接第二控制信号(SCAN2)，源极和漏极连接第二节点(B)和初始电位(Vini)；电容(C1)连接第一节点(A)和第二节点(B)；OLED连接第二节点(B)和电源低电位(OVSS)。本发明还提供了相应的驱动方法。本发明能够通过并行驱动方式有效增加阈值电压补偿的侦测时间，提升补偿效果。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 内部 补偿 电路 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种像素内部补偿电路，其特征在于，包括：/n第一薄膜晶体管(T1)，其栅极连接第三控制信号(SCAN3)，源极和漏极分别连接数据电压(Vdata)和第一节点(A)；/n第二薄膜晶体管(T2)，其栅极连接第一节点(A)，源极和漏极分别连接第二节点(B)和电源高电位(OVDD)；/n第三薄膜晶体管(T3)，其栅极连接第一控制信号(SCAN1)，源极和漏极分别连接第一节点(A)和参考电位(Vref)；/n第四薄膜晶体管(T4)，其栅极连接第二控制信号(SCAN2)，源极和漏极分别连接第二节点(B)和初始电位(Vini)；/n电容(C1)，其两端分别连接第一节点(A)和第二节点(B)；/nOLED，其阳极连接第二节点(B)，阴极连接电源低电位(OVSS)；/n该初始电位(Vini)＜OLED的开启电压，参考电位(Vref)－初始电位(Vini)>第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压；/n所述第一控制信号(SCAN1)，第二控制信号(SCAN2)，以及第三控制信号(SCAN3)的时序配置为包括重置阶段，侦测阶段，数据写入阶段，以及发光阶段；/n分别配置当前行像素与相邻行像素的第一控制信号(SCAN1)，第二控制信号(SCAN2)，以及第三控制信号(SCAN3)的时序，使当前行像素的数据写入阶段与相邻行像素的数据写入阶段相互错开；/n内部补偿过程包括上述重置阶段，侦测阶段，数据写入阶段，以及发光阶段四个阶段，上下两行相邻像素在重置阶段、侦测阶段重叠，从而使得上下两行相邻像素的内部补偿过程重叠进行。/n
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