[发明专利]阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201710737407.6 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107591414B | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 邓金全 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板的制作方法,其包括步骤:在基板上顺序层叠制作形成缓冲层、第一金属层、栅极绝缘材料层以及有源半导体材料层;对有源半导体材料层、栅极绝缘材料层、第一金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理,以形成彼此间隔的栅极和像素电极、覆盖在栅极上的第一栅极绝缘层、设置于像素电极上且暴露像素电极的部分的第二栅极绝缘层以及设置于第一栅极绝缘层上的有源层;在缓冲层、像素电极、第二栅极绝缘层以及有源层上形成第二金属层;对第二金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理,以形成位于有源层上的源极以及位于有源层和暴露的像素电极的部分上的漏极。本发明利用2次光刻(2MASK)完成了阵列基板的制作,降低了光刻次数,从而节省成本。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括步骤:在基板上顺序层叠制作形成缓冲层、第一金属层、栅极绝缘材料层以及有源半导体材料层;对所述有源半导体材料层、所述栅极绝缘材料层、所述第一金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理,以形成彼此间隔的栅极和像素电极、覆盖在所述栅极上的第一栅极绝缘层、设置于所述像素电极上且暴露所述像素电极的部分的第二栅极绝缘层以及设置于所述第一栅极绝缘层上的有源层;在所述缓冲层、所述像素电极、所述第二栅极绝缘层以及所述有源层上形成第二金属层;对所述第二金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理,以形成位于所述有源层上的源极以及位于所述有源层和暴露的所述像素电极的部分上的漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的