[发明专利]阵列基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201710737407.6 申请日: 2017-08-24
公开(公告)号: CN107591414B 公开(公告)日: 2020-07-21
发明(设计)人: 邓金全 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;G02F1/1368
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;武岑飞
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种阵列基板的制作方法,其包括步骤:在基板上顺序层叠制作形成缓冲层、第一金属层、栅极绝缘材料层以及有源半导体材料层;对有源半导体材料层、栅极绝缘材料层、第一金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理,以形成彼此间隔的栅极和像素电极、覆盖在栅极上的第一栅极绝缘层、设置于像素电极上且暴露像素电极的部分的第二栅极绝缘层以及设置于第一栅极绝缘层上的有源层;在缓冲层、像素电极、第二栅极绝缘层以及有源层上形成第二金属层;对第二金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理,以形成位于有源层上的源极以及位于有源层和暴露的像素电极的部分上的漏极。本发明利用2次光刻(2MASK)完成了阵列基板的制作,降低了光刻次数,从而节省成本。
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括步骤:在基板上顺序层叠制作形成缓冲层、第一金属层、栅极绝缘材料层以及有源半导体材料层;对所述有源半导体材料层、所述栅极绝缘材料层、所述第一金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理,以形成彼此间隔的栅极和像素电极、覆盖在所述栅极上的第一栅极绝缘层、设置于所述像素电极上且暴露所述像素电极的部分的第二栅极绝缘层以及设置于所述第一栅极绝缘层上的有源层;在所述缓冲层、所述像素电极、所述第二栅极绝缘层以及所述有源层上形成第二金属层;对所述第二金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理,以形成位于所述有源层上的源极以及位于所述有源层和暴露的所述像素电极的部分上的漏极。
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