[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201710739408.4 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN108631760A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 千坂纯一;葛西圭 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H03K17/14 | 分类号： | H03K17/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据实施方式，半导体装置具备：第1开关元件，栅极被输入第1基准电压；第2开关元件，栅极被输入第1电压；第3开关元件，达林顿连接有第1开关元件；第4开关元件，达林顿连接有第2开关元件；第1电流反射镜电路，调整在第3及第4开关元件中流通的电流；第5开关元件，基于第1基准电压与第1电压之差，切换为导通状态和截止状态；恒流电路；第2电流反射镜电路，供给恒流；及电压设定用电阻元件，设置在第1开关元件的源极与第3开关元件的栅极之间或者第2开关元件的源极与第4开关元件的栅极之间的任一方。 | ||
| 搜索关键词： | 开关元件 电流反射镜电路 半导体装置 达林顿连接 基准电压 源极 用电阻元件 导通状态 电压设定 恒流电路 截止状态 恒流 流通 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：第1开关元件，栅极被输入第1基准电压；第2开关元件，栅极被输入与所述第1基准电压相比较的第1电压；第3开关元件，达林顿连接有所述第1开关元件；第4开关元件，达林顿连接有所述第2开关元件；第1电流反射镜电路，调整在所述第3开关元件及所述第4开关元件中流通的电流；第5开关元件，基于所述第1基准电压与所述第1电压之差，切换为导通状态和截止状态；恒流电路，生成恒流；第2电流反射镜电路，对所述第1开关元件及所述第2开关元件供给所述恒流；以及电压设定用电阻元件，设置在所述第1开关元件的源极与所述第3开关元件的栅极之间、或者所述第2开关元件的源极与所述第4开关元件的栅极之间中的任一方。
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