[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710740104.X | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN107359196B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 梅田英和;海原一裕;田村聪之 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/423;H01L29/778;H01L29/10;H01L29/417 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 减少半导体装置的寄生电容以及泄漏电流。例如在由硅构成的基板上依次外延生长有例如由厚度为100nm的AlN构成的缓冲层、厚度为2μm的非掺杂GaN层、以及厚度为20nm且Al组分比为20％的非掺杂AlGaN，源极电极以及漏极电极以与非掺杂AlGaN层欧姆接触的方式形成。而且，在栅极布线的正下方的非掺杂GaN层与非掺杂AlGaN层中，例如形成有通过Ar等的离子注入而高电阻化了的高电阻区域，高电阻区域与元件区域的边界位于栅极布线正下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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