[发明专利]一种控制掺杂曲线一致性的方法有效
申请号: | 201710741576.7 | 申请日: | 2017-08-25 |
公开(公告)号: | CN107507887B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 刘志强;费正洪;党继东 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种控制掺杂曲线一致性的方法,属于光伏技术领域。该方法包括进舟步、升温步、氧化步、分步沉积、升温推结步、降温退火步、出舟步,其中,分步沉积为,在炉尾到炉口存在温度梯度的情况下,通入氮气、氧气、掺杂源气体进行预沉积;其扩散工艺采用分步多次沉积的方法,增加硅片表面掺杂源的掺杂均匀性,并且通过设计沉积步温度,使各温区温度从炉尾到炉口依次增加,形成温度梯度,增加了炉口区域的掺杂源在硅中的固溶度,补偿了炉口区域掺杂源掺杂过少的问题,保证了表面浓度的一致性及各区域掺杂源掺杂量的一致性,进而保证硅片结深一致性;通过该方法使扩散工艺的掺杂曲线更一致,电性能参数更加一致,提升了组件的CTM。 | ||
搜索关键词: | 一种 控制 掺杂 曲线 一致性 方法 | ||
【主权项】:
1.一种控制掺杂曲线一致性的方法,其特征在于,包括如下步骤:进舟步,升温步,氧化步;分步沉积,在炉尾到炉口存在温度梯度的情况下,通入氮气、氧气、掺杂源进行预沉积;所述掺杂源为磷源或硼源;所述温度梯度为:当掺杂源为磷时,温度在775~795℃范围内从炉尾到炉口逐渐升高;当掺杂源为硼时,温度在990~1010℃范围内从炉尾到炉口逐渐升高;在分步沉积之后还包括升温推结步,升温推结步包括高温推结步,高温推结步的炉口到炉尾温度设置相同;在升温推结步之后进行降温退火步,出舟步。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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