[发明专利]基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201710749283.3 | 申请日: | 2017-08-25 |
公开(公告)号: | CN107507807B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 苏同上;王东方;周斌;赵策;成军;刘军;鲍俊;袁广才 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12 |
代理公司: | 11262 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基板及其制备方法、显示面板。基板的制备方法包括:依次形成第一绝缘层和第二绝缘层后,通过一次构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的过渡孔;通过另一次构图工艺形成贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的连接孔。本发明实施例通过两次构图工艺分别刻蚀形成最终的连接孔,缩短了每次刻蚀的时间,避免了由于长时间刻蚀引起光刻胶的固化和变形,从而避免了光刻胶残留导致的显示不良,同时缩小了连接孔的坡度角,有利于导电导线之间的连接,改善了断线不良等问题。本发明实施例还提供了一种采用上述制备方法制成的基板以及包括该基板的显示面板。 | ||
搜索关键词: | 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种基板的制备方法,其特征在于,包括:/n依次形成第一绝缘层和第二绝缘层;/n通过一次构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的过渡孔;/n在形成有过渡孔的第二绝缘层上涂覆一层光刻胶;/n形成暴露出过渡孔的第二光刻胶孔,所述第二光刻胶孔的孔径大于所述过渡孔的孔径;/n通过刻蚀工艺对所述第二光刻胶孔处暴露出的第一绝缘层和第二绝缘层进行刻蚀,形成贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的连接孔;/n剥离剩余的光刻胶。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造