[发明专利]一种纳米氧化铝薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710750500.0 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107686121B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 方长青;蒲梦园;周星;朱怡同;李欢;李航 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C01F7/34 | 分类号： | C01F7/34;C01F7/44 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 杨璐 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米氧化铝薄膜的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，将硝酸铝和尿素溶于去离子水中后加入清洗后的硅片，在水浴条件下冷凝回流，再将硅片取出，经过干燥，硅片表面有一层带有衍射谱的Al(OH)3热脱水膜；步骤2，将经步骤1处理后的硅片放入聚四氟乙烯水热反应釜中，加入去离子水，进行水热反应；步骤3、待步骤2完成后，将聚四氟乙烯水热反应釜中的产物冷却至室温后干燥，硅片上形成一层无裂纹的纳米氧化铝薄膜。本发明公开的纳米氧化铝薄膜的制备方法，解决了现有氧化铝薄膜制备过程中存在的反应温度过高及工艺复杂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 氧化铝 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、将硝酸铝和尿素溶于去离子水中后加入清洗后的硅片，在水浴条件下冷凝回流，再将硅片取出，经过干燥，硅片表面有一层带有衍射谱的Al(OH)3热脱水膜；步骤2、将经步骤1处理后的硅片放入聚四氟乙烯水热反应釜中，加入去离子水，进行水热反应；步骤3、待步骤2完成后，将聚四氟乙烯水热反应釜中的产物冷却至室温后干燥，硅片上形成一层无裂纹的纳米氧化铝薄膜；所述步骤1中：硝酸铝与尿素的质量比为3.54～3.56：1；所述步骤1中：去离子水的添加标准为：每克硝酸铝与尿素的混合物，添加10ml～11ml去离子水；所述步骤2中：去离子水的添加量与硅片质量比分别为1～20：1；所述步骤2中：水热反应的温度为200℃～202℃，时间为24h～25h。
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