[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
| 申请号： | 201710750724.1 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107799436B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 今井正芳;德重克彦;小仓大;渡边和英;国泽淳次;饭泉健;宫崎充 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种基板处理装置，具备：研磨部，该研磨部使用研磨液来对基板进行研磨；第一清洗部，该第一清洗部使用硫酸及过氧化氢溶液来对由所述研磨部研磨后的基板进行清洗；第二清洗部，该第二清洗部使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对由所述第一清洗部清洗了的基板进行清洗；干燥部，该干燥部使由所述第二清洗部清洗后的基板干燥。这样的基板处理装置及基板处理方法能够以较少的工序对研磨后的基板进行充分地清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，具备：研磨部，该研磨部使用研磨液来对基板进行研磨；第一清洗部，该第一清洗部使用硫酸及过氧化氢溶液来对由所述研磨部研磨后的基板进行清洗；第二清洗部，该第二清洗部使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对由所述第一清洗部清洗后的基板进行清洗；干燥部，该干燥部使由所述第二清洗部清洗后的基板干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
