[发明专利]OLED面板的制作方法及OLED面板在审

专利信息
申请号: 201710751619.X 申请日: 2017-08-28
公开(公告)号: CN107565066A 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 吴建霖 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种OLED面板的制作方法及OLED面板。本发明的OLED面板的制作方法,通过在OLED器件外围设置至少两圈相间隔的挡墙,然后采用喷墨打印的方式先在挡墙所围出的发光区域上方于第一无机阻挡层与第二无机阻挡层之间形成有机缓冲层,再在每相邻两挡墙之间区域的上方于第一无机阻挡层与第二无机阻挡层之间形成一圈加密层,从而在侧向封装结构中形成了一个延长了水汽氧气入侵的复杂路径,增加了侧向的薄膜封装效果,进而形成了一种高阻气能力的薄膜封装结构,可以有效保护OLED器件,增加OLED器件的寿命,满足柔性OLED面板的封装要求,且该制作方法简单易行。
搜索关键词: oled 面板 制作方法
【主权项】:
一种OLED面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、提供基板(10),在所述基板(10)上形成OLED器件(20);在所述基板(10)上于所述OLED器件(20)外围设置至少两圈相间隔的挡墙(31),其中最内侧的一圈挡墙(31)在所述基板(10)上定义出发光区域;步骤S2、沉积一层整面覆盖所述OLED器件(20)及所有挡墙(31)的第一无机阻挡层(41);步骤S3、在对应所述发光区域的上方于所述第一无机阻挡层(41)上涂布形成一层有机缓冲层(50),在对应每相邻两挡墙(31)之间区域的上方于所述第一无机阻挡层(41)上涂布形成加密层(60);步骤S4、沉积一层整面覆盖所述有机缓冲层(50)、所有加密层(60)、及所有挡墙(31)的第二无机阻挡层(42)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710751619.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top