[发明专利]OLED面板的制作方法及OLED面板在审
申请号: | 201710751619.X | 申请日: | 2017-08-28 |
公开(公告)号: | CN107565066A | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 吴建霖 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种OLED面板的制作方法及OLED面板。本发明的OLED面板的制作方法,通过在OLED器件外围设置至少两圈相间隔的挡墙,然后采用喷墨打印的方式先在挡墙所围出的发光区域上方于第一无机阻挡层与第二无机阻挡层之间形成有机缓冲层,再在每相邻两挡墙之间区域的上方于第一无机阻挡层与第二无机阻挡层之间形成一圈加密层,从而在侧向封装结构中形成了一个延长了水汽氧气入侵的复杂路径,增加了侧向的薄膜封装效果,进而形成了一种高阻气能力的薄膜封装结构,可以有效保护OLED器件,增加OLED器件的寿命,满足柔性OLED面板的封装要求,且该制作方法简单易行。 | ||
搜索关键词: | oled 面板 制作方法 | ||
【主权项】:
一种OLED面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、提供基板(10),在所述基板(10)上形成OLED器件(20);在所述基板(10)上于所述OLED器件(20)外围设置至少两圈相间隔的挡墙(31),其中最内侧的一圈挡墙(31)在所述基板(10)上定义出发光区域;步骤S2、沉积一层整面覆盖所述OLED器件(20)及所有挡墙(31)的第一无机阻挡层(41);步骤S3、在对应所述发光区域的上方于所述第一无机阻挡层(41)上涂布形成一层有机缓冲层(50),在对应每相邻两挡墙(31)之间区域的上方于所述第一无机阻挡层(41)上涂布形成加密层(60);步骤S4、沉积一层整面覆盖所述有机缓冲层(50)、所有加密层(60)、及所有挡墙(31)的第二无机阻挡层(42)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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