[发明专利]一种芯片双面封装结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种芯片双面封装结构及其制造方法。封装结构包括：存储器芯片堆栈体设置在基板上，第一重布线层形成存储器芯片堆栈体上；缓存芯片设置在基板的表面；端子设置于基板上；第一塑封体密封存储器芯片堆栈体；第二塑封体密封缓存芯片及端子与基板连接处。制造方法包括：将存储器芯片堆栈体设置在基板上；形成第一塑封体密封存储器芯片堆栈体；缓存芯片设置在基板上；形成第二塑封体密封缓存芯片；对缓存芯片和第二塑封体进行薄化；对第二塑封体进行钻孔，在钻孔中植入与金属垫连接的端子并焊接固定。本发明的芯片堆栈立体封装结构整体结构尺寸小，信号传输距离短，且能够根据使用需要对性能灵活配置。

主权项

1.一种芯片双面封装结构，其特征在于，包括：基板，具有相对设置的第一表面和第二表面；存储器芯片堆栈体，覆晶接合方式设置在所述基板的所述第一表面上，主要由多个存储芯片堆栈组成，所述存储器芯片堆栈体具有一安装表面；第一重布线层，形成于所述存储器芯片堆栈体的所述安装表面上，电性连接各所述存储芯片至所述基板；缓存芯片，覆晶接合方式设置在所述基板的所述第二表面的中央区域；端子，设置于所述基板的所述第二表面上；及第一塑封体和第二塑封体；所述第一塑封体形成于所述基板的所述第一表面上，密封所述存储器芯片堆栈体；所述第二塑封体形成于所述基板的所述第二表面上，密封所述缓存芯片及所述端子与所述基板的所述第二表面的连接位置处，构成双面模封型态；第一底胶，形成于所述存储器芯片堆栈体与所述基板的所述第一表面之间，并使所述第一底胶延伸扩散到所述存储器芯片堆栈体靠近所述基板一端的外缘，且所述第一底胶在所述存储器芯片堆栈体外缘的侧面的覆盖高度使设有所述第一重布线层的所述存储芯片的侧面被实质覆盖；所述第一重布线层的一侧表面上形成多个第一连接垫，所述基板的所述第一表面上形成多个与所述第一连接垫对应的第二连接垫，各所述第一连接垫与各所述第二连接垫电性连接。