[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710756619.9 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN108231586B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 沙哈吉·B·摩尔;潘正扬;张世杰;李承翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置的制造方法包含形成栅极堆叠于基底上；成长源极/漏极区相邻于栅极堆叠，源极/漏极区为N型掺杂的硅；于源极/漏极区上成长半导体盖层，半导体盖层具有锗杂质，源极/漏极区不含锗杂质；沉积金属层于半导体盖层上；将金属层和半导体盖层退火，以在源极/漏极区上形成硅化物层，硅化物层具有锗杂质；以及形成金属接触电性耦接至硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：形成一栅极堆叠于一基底上；成长一源极/漏极区相邻于该栅极堆叠，该源极/漏极区为N型掺杂的硅(Si)；成长一半导体盖层于该源极/漏极区上，该半导体盖层具有锗(Ge)杂质，该源极/漏极区不含该锗杂质；沉积一金属层于该半导体盖层上；将该金属层和该半导体盖层退火，以形成一硅化物层于该源极/漏极区上，该硅化物层具有该锗杂质；以及形成一金属接触电性耦接至该硅化物层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710756619.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置的形成方法
- 下一篇：鳍式场效晶体管装置及其共形传递掺杂方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
