[发明专利]增进微影可印性的方法有效
| 申请号： | 201710757121.4 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107885043B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 黄旭霆;周硕彦;刘如淦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于增进微影可印性的方法。此方法的一示例包括接收集成电路(IC)设计布局并使用IC设计布局进行光源电子束最佳化(SBO)制程以产生掩模射域图与照射光源图，其中SBO制程使用SBO模型，其同时使用掩模射域图模拟掩模制作制程以及使用照射光源图模拟晶圆制作制程。使用掩模射域图来制作掩模且使用照射光源图制作晶圆(在一些实施例中，使用掩模射域图制作的掩模)。晶圆包括与由IC设计布局定义的目标晶圆图案对应的最终晶圆图案。此方法可以有效减少(或消除)最终晶圆图案与目标晶圆图案之间的差异。 | ||
| 搜索关键词： | 增进 微影可印性 方法 | ||
【主权项】：
一种用于增进微影可印性的方法，包括下列步骤：接收一集成电路IC设计布局；以及使用该集成电路设计布局，进行一光源电子束最佳化SBO制程以产生一掩模射域图以及一照射光源图，其中该光源电子束最佳化制程使用一光源电子束最佳化模型，该光源电子束最佳化模型同时使用该掩模射域图模拟一掩模制作制程以及使用该照射光源图模拟一晶圆制作制程。
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