[发明专利]用于半导体结构的ESD装置

摘要

本发明涉及用于半导体结构的ESD装置，其中，一种用于集成电路的静电放电(ESD)装置包括具有纵向延伸鳍配置在其上的衬底。第一n型FinFET(NFET)配置在鳍内。此NFET包括n型源极、n型漏极以及配置在源极与漏极底下衬底内的p‑井。p型FinFET(PFET)配置在鳍内。此PFET包括p型源极/漏极区域以及配置在源极/漏极底下衬底内的n‑井。该n‑井与p‑井位于彼此足够靠近的位置以在它们之间形成一个np结。PFET的p型源极/漏极区域和NFET的n型漏极电连接至共享输入节点。

主权项

一种集成电路的静电放电(ESD)装置，包含：衬底，其上配置有纵向延伸的鳍；第一n型鳍式场效应晶体管(NFET)，配置在该鳍内，该NFET包括n型源极、n型漏极与配置在该源极与该漏极下方的该衬底内的p井；以及p型鳍式场效应晶体管(PFET)，配置在该鳍内，该PFET包括p型源极/漏极区域与配置在该源极/漏极区域下方的该衬底内的n井，该n井与p井彼此足够靠近以在之间形成np结；其中，该PFET的该p型源极/漏极区域与该NFET的该n型漏极电连接至共同的输入节点。